MOSFET 데이터시트 보는 법 쉽게 정리

전자회로 설계 시 꼭 필요한 MOSFET 데이터시트 해석법! 초보자도 쉽게 이해할 수 있도록 핵심 항목 중심으로 정리했습니다.

🔹 서론

**MOSFET(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor)**는 전자회로에서 스위칭 또는 증폭용으로 가장 널리 사용되는 트랜지스터입니다.

하지만 데이터시트에 적힌 수많은 전기적 특성들은 초보자에게 벽처럼 느껴질 수 있습니다.

❓ 어떤 항목을 먼저 봐야 할까?
❓ 스위칭 속도는 무엇이고, 온 저항은 왜 중요할까?

이번 글에서는 대표적인 N채널 MOSFET인 IRFZ44N의 데이터시트를 예시로,
기초 회로 설계자도 이해할 수 있도록
필수 항목 위주로 표와 함께 쉽게 해석해드리겠습니다.

항목(영문명)	값 (IRFZ44N 기준)	해석
Drain-Source 전압 (V<sub>DS</sub>)	55V	최대 55V까지 드레인-소스 사이에 인가 가능. 그 이상은 MOSFET이 파괴될 수 있음.
Gate Threshold 전압 (V<sub>GS(th)</sub>)	2.0V ~ 4.0V	MOSFET이 "켜지기" 시작하는 전압. 일반적으로 5V 이상 GATE에 인가해야 완전히 도통됨.
Drain Current (I<sub>D</sub>)	49A	최대 49A까지 통과 가능하지만, 방열 조건이 따라줘야 함. 실사용은 30A 이하 추천.
R<sub>DS(on)</sub> (온 저항)	0.022Ω @ V<sub>GS</sub>=10V	MOSFET이 켜졌을 때의 내부 저항. 이 값이 낮을수록 발열과 전력 손실이 적음.
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>)	67nC	게이트에 충전되어야 하는 총 전하량. 작을수록 빠른 스위칭 가능.
Turn-On Delay Time (t<sub>d(on)</sub>)	약 10ns	신호 입력 후, MOSFET이 켜지는 데 걸리는 시간. 빠를수록 고속 스위칭에 유리.
패키지 형태	TO-220	방열판 장착 가능, 파워 회로에 적합한 패키지.

A. 회로 전압보다 **VDS (Drain-Source 전압)**가 높고, **ID (드레인 전류)**가 충분히 큰지 확인해야 합니다.
그리고 **온 저항(RDS(on))**도 중요합니다. 이 값이 낮을수록 발열이 적습니다.

A. MOSFET은 게이트에 전압을 인가해야 켜집니다. VGS(th)는 최소 동작 전압일 뿐, 회로에선 일반적으로 10V 이상 인가해야 완전 도통됩니다.

일반적으로 N채널 MOSFET이 더 널리 사용됩니다.

MOSFET은 단순한 스위치처럼 보이지만, 회로 설계 시에는
전압, 전류, 온저항, 스위칭 속도, 게이트 전하 등을 종합적으로 고려해야 안정적인 동작이 가능합니다.

이 콘텐츠는 전자공학 입문자, DIY 개발자, 전원 회로 설계자를 위한
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